三星CL05B103KB5NNC贴片陶瓷电容CAP CER
2024-03-11标题：三星CL05B103KB5NNNC贴片陶瓷电容的应用与技术方案 随着电子技术的不断发展，陶瓷电容在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星CL05B103KB5NNNC贴片陶瓷电容，作为一种常用的电子元器件，具有广泛的应用领域和优异的性能特点。本文将围绕其技术与应用方案进行详细介绍。 一、技术特点 三星CL05B103KB5NNNC贴片陶瓷电容是一款具有高稳定性的小容量贴片陶瓷电容。它采用先进的陶瓷材料和高精度工艺制造，具有高绝缘性、耐高温、耐潮湿等优点。电容容量为10000PF，工作
三星CL10B104KO8NNC贴片陶瓷电容CAP CER
2024-03-10标题：三星CL10B104KO8NNNC贴片陶瓷电容CAP CER应用介绍 一、背景概述 三星CL10B104KO8NNNC是一款应用于各种电子设备中的贴片陶瓷电容，规格为0.1UF，工作电压为16V，介质为X7R。X7R材料具有高温度性能和高介电强度，使其在高温高湿环境下仍能保持良好的性能。这种电容广泛应用于各种领域，如通信、汽车电子、工业控制等。 二、技术特点 三星CL10B104KO8NNNC贴片陶瓷电容具有以下技术特点： 1. 采用先进的陶瓷材料和高频绝缘技术，具有低损耗、高稳定性和高
三星CL10B105KP8NNC贴片陶瓷电容CAP CER
2024-03-09标题：三星CL10B105KP8NNNC贴片陶瓷电容CAP CER 1UF 10V X7R 0603的技术与应用介绍 随着电子技术的快速发展，陶瓷电容在各类电子产品中扮演着重要的角色。三星CL10B105KP8NNNC是一款性能优良的贴片陶瓷电容，具有多种技术特点和应用方案。 首先，三星CL10B105KP8NNNC采用了先进的陶瓷材料和制造工艺，具有高介电常数、低漏电流、耐高温等优点。其电容量可达1UF，耐压值高达10V，保证了其在各种复杂环境下的稳定性和可靠性。X7R材料作为介质，则提供了
三星CL05B104KO5NNC贴片陶瓷电容CAP CER
2024-03-08标题：三星CL05B104KO5NNNC贴片陶瓷电容CAP CER 0.1UF 16V X7R 0402的技术与应用介绍 随着电子技术的不断发展，陶瓷电容在各类电子产品中的应用越来越广泛。三星CL05B104KO5NNNC贴片陶瓷电容作为一种重要的电子元件，具有许多独特的优势和应用场景。本文将围绕该电容的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星CL05B104KO5NNNC贴片陶瓷电容是一种采用陶瓷材质制成的电容器，具有高介电常数和高绝缘电阻的特点。其内部采用多层陶瓷结构，通过电极引出端和
三星CL10A475KP8NNC贴片陶瓷电容
2024-03-07标题：三星CL10A475KP8NNNC贴片陶瓷电容CAP CER 4.7UF 10V X5R 0603的技术与应用介绍 随着电子技术的不断发展，贴片陶瓷电容在各类电子产品中得到了广泛应用。三星CL10A475KP8NNNC是一款具有代表性的贴片陶瓷电容，其规格参数为4.7UF 10V X5R 0603。本文将围绕这款电容的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星CL10A475KP8NNNC贴片陶瓷电容采用了陶瓷作为介质材料，具有体积小、容量大、耐高温、耐腐蚀、电性能稳定等优点。其工作原
三星CL05A104KA5NNC贴片陶瓷电容CAP CER
2024-03-06标题：三星CL05A104KA5NNNC贴片陶瓷电容CAP CER应用介绍 一、技术概述 三星CL05A104KA5NNNC是一款贴片陶瓷电容，采用陶瓷作为介质，外覆金属氧化物作为电介质，具有高介电常数和高稳定性。其容量为0.1微法拉（UF），工作电压为25伏特（V），类型为X5R。这些参数使其在电路中起到滤波、储能等关键作用。 二、方案应用 1. 在电源电路中，三星CL05A104KA5NNNC陶瓷电容可以有效地吸收和过滤电压波动，提高电源的稳定性和可靠性。 2. 在射频电路中，陶瓷电容可以
三星CL03A104KQ3NNC贴片陶瓷电容CAP CER
2024-03-05标题：三星CL03A104KQ3NNNC贴片陶瓷电容CAP CER应用介绍 随着电子技术的快速发展，贴片陶瓷电容CAP CER在各类电子产品中得到了广泛应用。其中，三星CL03A104KQ3NNNC是一款具有代表性的产品，其规格参数为0.1UF、6.3V、X5R，尺寸为0201。本文将围绕这款电容的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星CL03A104KQ3NNNC贴片陶瓷电容CAP CER采用了先进的陶瓷材料和高精度烧结技术，具有高绝缘、低漏电流、耐高温、温度范围广等特点。同时，其内部
三星CL05B104KP5NNC贴片陶瓷电容CAP CER
2024-03-04标题：三星CL05B104KP5NNNC贴片陶瓷电容CAP CER 0.1UF 10V X7R 0402的技术与应用介绍 随着电子技术的不断发展，陶瓷电容在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星CL05B104KP5NNNC是一款常用的贴片陶瓷电容，具有多种优良的技术和方案应用。 首先，三星CL05B104KP5NNNC采用了先进的陶瓷材料和精密制造工艺，具有高介电常数、低电导率、耐高温等特性。这种电容的容量为0.1微法，适用于各种电路中需要精确和稳定电容量的地方。同时，其耐压值为10伏特
三星与SK海力士DRAM继续涨价
2024-02-12据韩国媒体报道，消费性电子市场逐渐复苏，10 月DRAM 合约价格出现两年多来首次反弹。存储器价格反弹后，三星与SK 海力士故继续涨价。 韩国经济日报引用消息人士说法，智能手机低功耗存储器(LPDDR) 和电脑DDR等高性能DRAM 市场逐渐成长，加上数字设备制造商DRAM 库存减少，使DRAM 价格开始上涨。研究及调查机构商TrendForce存储器部门DRAMeXchange 数据，个人电脑DRAM DDR4 8Gb 2133MHz 合约价10 月较9 月上涨15.4%，到1.5 美元，是
三星等公司发布新技术:DRAM微缩迈向新境界
2024-02-12在最近的IEDM上，三星电子、美光科技和台积电公布了DRAM和存储器技术的最新突破。三星电子开发了适用于10纳米以下技术节点的垂直通道DRAM单元晶体管技术，美光科技则展示了32Gbit大容量非易失性RAM原型，而台积电则开发了一种嵌入式存储器，其中STT-MRAM单元配置有一个选择器和一个磁隧道结（MTJ）。 三星电子表示，已开发出适用于10纳米以下技术节点的垂直通道DRAM单元晶体管技术。这项技术使用氧化物半导体IGZO作为沟道材料，用于DRAM单元的垂直沟道晶体管单片集成在核心电路晶体管